技术论文

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具备 32 列共享高速列并行 SAR ADC 的 133 兆像素 60 fps CMOS 图像传感器
Category: CMOS图像传感器
为实现新一代高度逼真的视听感官广播系统,8K 超高清电视(UHDTV)系统的研究和开发不断被推动。据报道,为实现 8K 摄影机,已经采用了 33M 像素传感器[1-2]和包含三个 33M 塑像传感器[3]的全分辨率摄影机系统。
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一个 4 边可平铺的背照式三维集成兆像素 CMOS 图像传感器
Category: CMOS图像传感器
传统图像传感器的主要发展趋势是按比例缩小像素尺寸,以提高空间分辨率并降低芯片尺寸和成本[1]。这些单片式图像传感器虽是功能强大的芯片,却将相当大的周边面积用于信号采集和控制电路,并在像素复杂度和填充因子之间进行权衡。
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采用 P 型像素的 BSI 弱光 CMOS 图像传感器
Category: CMOS图像传感器
已开发出一种针对夜视应用(NVCMOSTM)进行了优化的背面照明(BSI)CMOS成像器技术,该技术采用了基于孔的 p 型像素(pMOS)。与传统的基于电子的 n 型像素(nMOS)相比,该技术的优势包括较低的暗电流和较低的随机电报噪声(RTN)。
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针对列并行图像传感器的带前端复用模拟读出电路设计
Category: CMOS图像传感器
本文报告了我们的列并行模拟信号链设计策略的进展,其在 CMOS 图像传感器中使用了不同程度的并行度。在[1]中,我们探讨了不同并行度的权衡,并提出了用于优化内窥镜传感器的分析模型。
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具有双复位分支 SAR ADC 架构的高帧速全局快门图像传感器
Category: CMOS图像传感器
本文介绍一种具有列并行 SAR ADC 读数的高速 1.3 兆像素全局快门 CMOS 图像传感器。为了以最大帧速率实现行时间要求,SAR ADC 采用了新颖的双复位分支架构。
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针对列并行图像传感器对配备 290 MHz 片上加速斜坡发生器的 14 位单斜率 ADC 进行实时校准
Category: ADC 和 DAC 转换器
本文提出了一个针对 14 位多段、单斜率 ADC 架构的实时校准方案,该方案使用一个基于 290 Mhz 电流 DAC 的片上斜坡发生器。斜坡发生器可以创建具有多个斜率的斜坡,从而可以根据给定的系统散粒噪声限制曲线来缩放 ADC 分辨率。
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CMOS 图像传感器工艺中的射频设计问题和挑战
Category: CMOS图像传感器
本文介绍了在 0.18 µm 3.3V/1.8V CMOS 图像传感器(CIS)工艺中设计射频收发器电路时所面临的问题和挑战。在设计内加入晶体管之前,仍然需要克服基础架构方面的挑战。
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低噪声列并行 CMOS 图像传感器专用配备片上加速连续时间、差分斜坡发生器的单斜率 ADC
Category: ADC 和 DAC 转换器
本文提出了一种 12 位单斜率 ADC 架构,该架构将片上斜坡发生器用于低噪声列并行 CMOS 图像传感器。以片上连续时间斜坡发生器取代了离散时间实现。
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针对 UHDTV 应用的 2.5 英寸、33 兆像素、60 fps CMOS 图像传感器
Category: CMOS图像传感器
我们开发了采用 0.18 µm 1P4M 工艺制造的 7840 x 4360 像素、60 fps CMOS 图像传感器,用于超高清电视(UHDTV)摄影系统。
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用于高速列并行 CMOS 图像传感器的基于 PTC 的分段式 ADC 设计
Category: ADC 和 DAC 转换器
本文提出了一种逐次逼近型 ADC(SAR)架构,该架构利用图像传感器的信号相关光子散粒噪声特性。多分段逐次逼近型 ADC(MS-SAR)应用了细分技术。其中,根据给定像素的光子传输曲线(PTC)缩放每个分段的转换步长。
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基于 CTIA 的像素复位噪声的分析与仿真
Category: 红外读出IC
本文介绍了一种方法,可精确模拟基于 CTIA 的像素的复位噪声。由于复位开关断开后的噪声采样和电荷重新分配,使用电路仿真器查找基于 CTIA 的像素的复位噪声并不容易。
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电容,光学和电互连的 CMOS 集成
Category: 高速数据传输
我们提出了一种 90nm 测试芯片,其中将邻近通信、采用外部激光器和光电二极管的光学器件,以及 CML 电子器件集成在单个 CMOS 芯片上。该芯片可以通过其三个互连接口的任意组合,以每秒数千兆位的速率路由数据。
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带有嵌入式早期模拟图像处理器的 CMOS 成像器
Category: CMOS图像传感器
我们提出了一种集成了早期图像处理通用滤波器的高质量计算 CMOS 成像器。早期处理器可以实时识别视野内的感兴趣区域,并能减少外部处理器的数据量和数据带宽。
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基于电容耦合式邻近互联和 VCSEL 的集成的光收发器芯片
Category: 高速数据传输
结合了近距离通信和光通信的优势,新的混合输入输出(I/O)平台可在芯片外和远距离提供片上带宽。我们通过在同一商业 90 纳米互补金属-氧化物-半导体平台上集成邻近通信和基于垂直腔面发射激光器的并行光学互连,展示了首个四通道混合 I/O 接口。
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使用 CMOS 光子技术实现的低相位噪声 10 Ghz 光电射频振荡器
Category: 模拟和混合信号
新兴的高频率无线通信标准,尤其当接近 60 和 80 GHz 频率,被局限于是否有具成本效益的高性能振荡器可用。由于无线通信系统的带宽在很大程度上取决于本地振荡器的相位噪声,因此这些频率下的频谱效率比起在蜂窝、WiFi 和 WiMax 应用中实现的频谱效率要小很多。
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模式识别专用超高快门抑制比快照像素图像传感器 ASIC
Category: CMOS图像传感器
超高快门抑制比快照像素图像传感器 ASIC 设计用于检测无运动伪影的运动对象。该芯片可以集成到快速移动的模式识别系统(例如机器视觉和机器人控制系统)中。
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展示了 kTC 噪声的主动复位抑制的二维阵列成像仪
Category: CMOS图像传感器
讨论了一种二维光电二极管可见光成像器的设计和性能,该成像器可将复位噪声降低到 kTC 限制以下。这种主动复位方案使用每列带一个运算放大器的反馈以增加增益,从而将噪声降低于普通“软”或“刷新”复位的噪声。
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具备片上高速、视窗化、质心定位功能的智能 CMOS 成像器
Category: CMOS图像传感器
从像平面中的预定义窗口进行低功耗、高速、精确的质心计算,对于许多基于空间的商业应用而言非常重要。其中包括机器人系统中的对象跟踪、自主导航、图像压缩和文档版权保护等等。
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高速、每秒 240 帧、4 兆像素 CMOS 传感器
Category: CMOS图像传感器
本文介绍了一种带有片上并行 10 位 ADC 的大幅面 4 兆像素(2352 x 1728)传感器。芯片尺寸为 20 x 20mm,像素间距为 7μm。本文介绍了一种带有片上并行 10 位 ADC 的大幅面 4 兆像素(2352 x 1728)传感器。芯片尺寸为 20 x 20mm,像素间距为 7μm。该传感器能实现每秒 240 帧的高帧速率,每秒可提供 9.75 千兆位的数据。
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亚阈值复位操作的光电二极管型 CMOS 有源像素成像器的微光性能分析和增强
Category: CMOS图像传感器
光电二极管型CMOS有源像素传感器(APS)中的噪声主要源于感测节点[1]上的复位(kTC)噪声,因为为二维阵列实现像素内相关双采样有一定的难度。
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带有片上电荷泄漏补偿的 CMOS 和差成像器
Category: CMOS图像传感器
本文提出了一种新技术,可在片上同时计算两个连续帧的差和和,从而实现低功耗的 CMOS 成像器。在第二帧的积分期间,会(通过感测元件和像素内存储节点)收集从光敏像素区域扩散的光生电荷,因此现有的差异成像器容易出现错误。
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实时凝视视觉系统专用动态可重新配置成像仪
Category: CMOS图像传感器
提出了一种用于实时凝视视觉系统的高性能多视点、多窗口、动态可重配置视觉(DRV)CMOS 成像器的设计和特性。通过执行焦平面图像预处理,成像器芯片可同时支持低分辨率大视野(FOV)扫描和高分辨率窄 FOV 跟踪。
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高速、每秒 500 帧、1024 x 1024 CMOS 有源像素传感器
Category: CMOS图像传感器
本文提出了一种高速(500 f/s)大幅面 1K x 1K 8 位 3.3V CMOS 有源像素传感器(APS),其芯片上集成了 1024 个ADC。该传感器在 66 MHz 主时钟速率下可实现每秒 500 MB 以上的极高输出数据速率和 350 mW 的低功耗。
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弱光到阳光、每秒 60 帧,80 兆像素 CMOS APS 片上相机,具有 8b 数字输出
Category: CMOS图像传感器
在过去的几年中,已开发出许多用于消费和商业用途的 CMOS APS 光电二极管图像传感器。这些传感器一般需要 100 Lux(光线充足的房间)的照明水平,才能在视频帧速率下实现最佳操作。
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单芯片 CMOS APS 数码相机
Category: CMOS图像传感器
对于低功率、高度集成的图像传感器系统有巨大的需求。基于 CMOS 的有源像素传感器(APS)技术取得了这一进展。我们展示了基于 CMOS APS 技术的低功耗、高度集成、可编程、完整的单芯片数码相机。
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具有模拟和数字读出功能的兆像素 CMOS APS
Category: CMOS图像传感器
本文报告了两个 1024 x 1024 元素 CMOS 有源像素图像传感器(APS)的操作和性能,该传感器具备片上模数转换(ADC)、模拟和数字读出信号链电子设备。之前,JPL展示了具有片上时序和控制功能的 256 x 256 元素、具有出色的图像质量的 CMOS APS。
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高密度 CCD 成像器结构的仿真
Category: CMOS图像传感器
给出了用于带有三层多晶硅栅极的 3 相 BCCD 型高密度成像仪设计的仿真结果为确保能达到高电荷传输效率,我们考虑采用一种双栅电介质的工艺,该电介质由 650Å Si3N4 层覆盖 350Å Si02 层形成。
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高密度 CCD 成像器结构的仿真
Category: CMOS图像传感器
给出了用于带有三层多晶硅栅极的 3 相 BCCD 型高密度成像仪设计的仿真结果为确保能达到高电荷传输效率,我们考虑采用一种双栅电介质的工艺,该电介质由 650Å Si3N4 层覆盖 350Å Si02 层形成。